我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） L6569D现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设计高效、可靠的半桥电源电路而烦恼吗？让L6569D来为您分忧！这颗来自ST意法半导体的栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，它能轻松接管高压侧功率开关的精准驱动任务，让您的电源转换效率更高、运行更稳定。

它集成了双通道同步驱动能力，提供高达170mA（灌入）和270mA（拉出）的强劲峰值输出电流，确保开关管快速响应。其宽泛的工作电压（10V-16.6V）和高达600V的自举电压，让您在设计时游刃有余。无论是面对严苛的温度环境，还是需要紧凑的板级布局，L6569D都能以高效的性能和可靠的品质，成为您电源管理设计中值得信赖的核心伙伴。

• 型号:L6569D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6569D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。