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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与高可靠性的开关核心吗？STU3N62K3 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它基于意法半导体先进的SuperMESH3技术打造，拥有620V的坚固耐压和2.7A的连续电流能力，专为 demanding 的开关应用而生。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源转换效率大幅提升！其极低的导通电阻（2.5Ω）和栅极电荷（13nC）意味着更少的导通与开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统能效。无论是构建紧凑的AC-DC电源、驱动电机，还是设计高效的LED照明驱动，STU3N62K3都能让您轻松实现高性能、高可靠性的设计目标，助您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:STU3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU3N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。