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还在为驱动电路的设计复杂度和可靠性担忧吗？让L6494LTR来为您简化一切！这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，专为高效、可靠地驱动IGBT和MOSFET而设计。它内置两路独立通道，提供高达2.5A/2A的强劲峰值输出电流，配合仅25纳秒的极速开关时间，能显著降低功率器件的开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

更令人放心的是，它拥有高达500V的自举电压能力和宽范围工作电压，兼容CMOS/TTL输入逻辑，轻松对接您的控制单元。其坚固的设计确保在-40°C至125°C的极端温度下稳定工作。选择L6494LTR，就是选择了一个让您设计更轻松、性能更卓越、产品更具竞争力的智能驱动核心。

• 制造商产品型号：L6494LTR
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 驱动配置：半桥
• 通道类型：独立式
• 驱动器数：2
• 栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
• 电压-供电：10V ~ 20V
• 逻辑电压-VIL，VIH：1.45V，2V
• 电流-峰值输出（灌入，拉出）：2A，2.5A
• 输入类型：CMOS/TTL
• 高压侧电压-最大值（自举）：500V
• 上升/下降时间（典型值）：25ns，25ns
• 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• L6494LTR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。