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您是否正在寻找一颗能轻松应对高压大电流挑战，同时保持超高效率的功率开关？STWA75N60DM6正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh DM6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和高达72A的强劲电流处理能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或新能源转换器时，能够大幅降低导通损耗，提升整体能效。

它卓越的电气性能意味着更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、更稳定。其经典的TO-247封装确保了出色的功率耗散能力和便捷的安装性。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力，助您轻松构建面向未来的高性能电源系统。

• 型号:STWA75N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA75N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。