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还在为驱动电路的速度和可靠性头疼吗？L6491DTR正是为您而来的高性能半桥栅极驱动器。它能以高达4A的强大电流，精准、快速地驱动IGBT和MOSFET，其15纳秒的极速开关性能，能显著降低功耗，提升您的系统整体效率。

这颗芯片集成了高达600V的自举电压和宽广的工作温度范围（-40°C ~ 125°C），让您的设计在面对高压隔离和恶劣环境时依然稳如磐石。其简洁的非反相输入逻辑与标准阈值电压，让您能轻松对接主流控制器，大幅缩短开发周期。选择L6491DTR，就是选择让您的电源管理或电机驱动应用更高效、更可靠、更易于实现。

• 型号:L6491DTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:-
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.45V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6491DTR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。