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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、强韧性与易用性的650V级功率开关吗？STGWA20M65DF2正是为您而来的解决方案。这颗40A沟槽场截止IGBT，凭借低至2V的Vce(sat)和优化的开关特性，能显著降低系统的导通与开关损耗，让您的电源、电机驱动或太阳能逆变器轻松实现更高的能效密度。

它采用坚固的TO-247封装，结温高达175°C，确保在恶劣环境下依然稳定可靠。标准输入电压让驱动设计变得简单直接，帮助您高效完成系统集成，快速将创新想法转化为具有市场竞争力的产品。

• 型号:STGWA20M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:166 W
• 开关能量:140J（导通），560J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:63 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/108ns
• 测试条件:400V，20A，12 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):166 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA20M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。