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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任的“电力开关”吗？STP30N20正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有200V的耐压和30A的连续电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或功率转换电路时，能够轻松应对核心的功率切换任务。

得益于STripFET技术和低至75毫欧的导通电阻，它能显著降低导通损耗，提升整体能效，让您的系统运行更“冷静”。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了安装便利性与出色的散热能力，配合125W的功率耗散上限，确保它在各种挑战性环境中都能稳定工作，助您构建高效可靠的电力核心。

• 型号:STP30N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1597 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP30N20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。