我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） L6393D现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为驱动高压半桥电路寻找一颗既强劲又聪明的“指挥官”吗？L6393D正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的栅极驱动器，专为驱动IGBT和MOSFET而优化，它能精准接收您的控制信号，并输出高达430mA的强大电流，让您的功率开关器件以极快的速度（典型值75ns上升）完成开关动作，从而大幅提升系统效率并降低损耗。

它内置了完善的保护机制，如欠压锁定，能主动守护功率管的安全，让您的设计免于异常电压的威胁。其高达600V的自举电压和宽泛的工作电压范围（10V-20V），让您能轻松应对各种高压应用场景，从工业电机驱动到太阳能逆变器都游刃有余。选择L6393D，就是为您的系统选择了一份高效、可靠且易于集成的驱动保障。

• 型号:L6393D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6393D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。