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还在为驱动电路的设计复杂度和可靠性担忧吗？让L6392DTR来为您简化一切！这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，是您高效驾驭IGBT与MOSFET的得力助手。

它拥有高达600V的驱动能力，能轻松应对工业电机、电源转换等高压场景。强劲的峰值输出电流（430mA拉/290mA灌）配合超快的开关速度，让您的功率器件开关更迅捷，显著降低损耗，提升整体能效。同时，其内置的独立通道保护与宽温工作特性，为您的系统稳定运行保驾护航。

选择L6392DTR，意味着您选择了一个高效、可靠且易于使用的驱动核心，它能显著简化您的硬件设计，让您更专注于系统性能的优化与创新。

• 型号:L6392DTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12.5V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6392DTR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。