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还在为射频前端功率不足、效率低下而烦恼吗？让PD57018STR-E为您带来改变！这颗来自ST意法半导体的高性能LDMOS射频晶体管，核心使命就是让您在945MHz频段下，轻松获得高达18W的强劲、纯净功率输出。

凭借其16.5dB的高增益和优异的线性度，它能显著提升您发射链路的信号质量和覆盖范围。无论是用于专业通信、工业控制还是测试设备，它都能让您的系统运行更高效、更稳定。其坚固的65V高额定电压和优化的PowerSO-10封装，确保了在严苛环境下的长期可靠性，让您无后顾之忧地专注于产品创新。

• 型号:PD57018STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:16.5dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:2.5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:100 mA
• 功率 - 输出:18W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD57018STR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。