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还在寻找那颗能扛起大电流、压降又足够低的“硬核”开关管吗？STP400N4F6正是为您的高性能电源和电机驱动应用量身打造。它集成了意法半导体先进的DeepGATE技术，在40V电压下可连续通过高达120A的电流，而导通电阻却低至1.7毫欧，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗N沟道MOSFET拥有优异的开关特性，其栅极电荷和输入电容经过精心优化，让您能够轻松实现快速、干净的开关切换，从而有效降低开关损耗并提升整体频率响应。采用经典的TO-220封装，它既便于安装散热，又提供了从-55°C到175°C的广阔工作温度范围，确保在各种严苛环境下稳定可靠地工作，是提升产品功率密度和可靠性的理想选择。

• 型号:STP400N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:377 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP400N4F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。