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还在寻找一颗能强力、可靠地驱动您功率开关管的芯片吗？L6391DTR正是您需要的答案。这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，拥有高达600V的耐压和强劲的峰值输出电流，能轻松、高效地驱动IGBT和MOSFET，确保您的电机控制、电源转换系统开关迅速、损耗更低。

它采用非反相输入，逻辑门槛兼容性极佳，让您能轻松连接各种控制芯片。其紧凑的14-SOIC封装和宽工作温度范围（-40°C ~ 150°C），更是为您的产品在恶劣环境下稳定运行提供了坚实保障，是构建高性能功率电路的理想选择。

• 型号:L6391DTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12.5V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6391DTR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。