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您正在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案吗？STP9NK60Z正是为您而来。这颗来自意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，拥有600V的高压耐受能力和7A的连续电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明镇流器时，能够轻松应对主功率开关的严苛要求。

它凭借先进的芯片技术，实现了极低的导通电阻（典型值950毫欧），这意味着更少的能量以热量的形式浪费，让您的系统运行更高效、更凉爽。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关切换，进一步降低开关损耗，提升整体能效。其坚固的TO-220AB封装和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），则为您的产品在各种环境下稳定、长久地运行提供了坚实保障。

• 型号:STP9NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。