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还在为寻找一颗能高效驱动半桥功率级的可靠芯片而烦恼吗？让L6571BD013TR成为您设计的强大后盾。这颗来自ST意法半导体的栅极驱动器，专为同步驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，其高达600V的耐压和宽泛的工作电压范围（10V-16.6V），让您轻松应对各种高压应用场景，构建稳定可靠的功率转换核心。

它集成了两个独立的驱动通道，提供强劲的峰值输出电流（拉出270mA，灌入170mA），确保您的功率开关管能够快速、果断地动作，从而显著降低开关损耗，提升系统整体能效。无论是用于开关电源、照明驱动还是电机控制，L6571BD013TR都能以简洁的RC输入方式和坚固的性能，让您的设计过程更高效，最终产品更具市场竞争力。

• 型号:L6571BD013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6571BD013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。