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还在为驱动电路的设计效率与可靠性发愁吗？让意法半导体的L6391D来为您分忧！这颗高性能半桥栅极驱动器，专为驱动IGBT和MOSFET而优化，能轻松将您的控制信号转化为强劲、精准的栅极驱动动力。

它内置独立双通道，支持高达600V的自举电压，并提供290mA/430mA的快速充放电能力，确保开关动作既迅速又干净，极大提升您的电源或电机驱动系统的效率和稳定性。其宽泛的工作电压（12.5V-20V）与温度范围（-40°C至150°C），让您的设计能够从容应对各种复杂应用环境，实现高效可靠的能量转换。

• 型号:L6391D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12.5V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6391D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。