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您正在寻找一颗能扛起高压重任、同时保持敏捷高效的功率开关吗？STD7LN80K5正是为您而来！这颗基于意法半导体先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固防线和5A的强劲电流输送能力，旨在让您的电源转换和电机控制应用运行得更稳定、更凉爽、更省电。

它凭借低至1.15欧姆的导通电阻和极快的开关特性，能显著降低系统的导通与开关损耗，直接提升整体能效。无论是应对复杂的工业环境还是追求极致的消费电子设计，STD7LN80K5都能让您轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡，是工程师应对高压挑战的得力助手。

• 型号:STD7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。