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还在为驱动高压半桥电路而烦恼吗？L6388D就是您的高效动力引擎！这颗来自ST意法半导体的栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，它能为您提供高达650mA的强劲拉电流和400mA的灌电流，确保您的功率开关以极快的速度（典型上升/下降时间仅70ns/40ns）完成切换，从而大幅提升系统效率，降低能量损耗。

更令人安心的是，L6388D拥有高达600V的自举电压能力，让您轻松应对高压侧驱动的挑战。其宽泛的工作温度范围（-40°C ~ 125°C）和反相输入逻辑设计，让您的产品在各种严苛环境下都能稳定可靠地运行，并与主流控制信号完美兼容。选择它，就是为您的电机驱动、电源转换等应用注入一颗强大而可靠的核心。

• 型号:L6388D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.8V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:70ns，40ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6388D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。