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零件图片（仅供参考）
SCTW100N65G2AG
规格参数
  • 制造商产品型号：SCTW100N65G2AG
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 描述：SICFET N-CH 650V 100A HIP247
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 50A，18V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：162nC @ 18V
  • Vgs（最大值）：+22V，-10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3315pF @ 520V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：420W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：HiP247?
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    基本参数：
  • 电子零件型号：SCTW100N65G2AG
  • 原始制造厂商：ST（意法半导体）
  • 技术标准参数：SICFET N-CH 650V 100A HIP247
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询SCTW100N65G2AG的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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