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还在为高压大电流应用的效率与散热头疼？让SCTW100N65G2AG为您带来颠覆性的解决方案！这颗来自ST意法半导体的碳化硅（SiC）MOSFET，集成了650V耐压、100A大电流和超低导通电阻于一身，专为要求严苛的汽车（AEC-Q101）及工业应用而生。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更紧凑。先进的SiC技术配合HiP247封装，能显著降低开关和导通损耗，提升系统能效，同时卓越的散热能力（功耗高达420W）让您轻松应对高功率密度挑战。无论是车载充电、服务器电源还是电机驱动，选择它，就是选择了更高的可靠性和更强的市场竞争力。

• 型号:SCTW100N65G2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 100A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 50A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 5mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:162 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3315 pF @ 520 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:420W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCTW100N65G2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。