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还在为高压半桥驱动的设计与选型耗费心力？让L6384ED013TR来为您化繁为简！这颗来自ST意法半导体的栅极驱动器，核心使命就是让您轻松、高效地驾驭高压功率开关。它能为您提供高达600V的自举电压和强劲的峰值驱动电流，确保您的IGBT或MOSFET快速、可靠地开关，从而显著提升电机控制、电源转换等应用的效率和可靠性。

其宽泛的工作温度范围（-45°C至125°C）和紧凑的8-SOIC封装，让它能从容应对各种严苛环境与空间受限的设计挑战。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而稳定的“驱动心脏”。

• 型号:L6384ED013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6384ED013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。