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还在为高功率应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STH170N8F7-2为您带来变革性的解决方案。这颗基于先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有80V耐压和高达120A的电流处理能力，其核心魅力在于仅3.7毫欧的超低导通电阻，能显著降低传导损耗，直接提升您的系统效率并简化散热设计。

它能让您轻松驾驭服务器电源、工业变频器、大功率DC-DC模块等高要求场景。优异的开关特性（栅极电荷仅120nC）与稳健的H2PAK-2封装相结合，确保了在高频开关下的高效与可靠。选择它，就是为您的产品注入了高效、紧凑与可靠的核心基因，助您在竞争中脱颖而出。

• 型号:STH170N8F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8710 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH170N8F7-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。