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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STW18N60DM2正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和12A的连续电流能力，基于ST先进的MDmesh DM2技术打造，能显著降低导通与开关损耗。

它能让您的电源、电机驱动或逆变器设计轻松实现更高的功率密度和能效。其优化的动态特性有助于减少电磁干扰，而坚固的TO-247封装和宽工作温度范围则确保了系统在各种环境下的长期可靠运行。选择它，就是为您的产品注入了高效与稳定的核心动力。

• 型号:STW18N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW18N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。