我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STS5DNF60L现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起功率转换重任的“双核”MOSFET而烦恼吗？STS5DNF60L正是为您而来的解决方案！这颗来自ST意法半导体的双N沟道MOSFET，集成了两个逻辑电平驱动的通道，让您仅用一颗芯片就能轻松控制两路负载，极大地简化了您的电路板布局。

它拥有60V的耐压和5A的持续电流能力，配合低至45毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源或电机驱动方案运行更高效、更凉爽。其符合汽车级AEC-Q101标准的卓越品质，确保它在-55°C到150°C的广阔温度范围内稳定工作，为您产品的可靠性与耐用性保驾护航。选择STS5DNF60L，就是选择了一个让设计更简单、性能更出众的强力助手。

• 型号:STS5DNF60L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS5DNF60L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。