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您是否正在寻找一颗能轻松应对600V高压、18A大电流挑战，同时还能保持极高效率的功率开关解决方案？STP24N60M2正是为您而来。它基于ST先进的MDmesh II Plus技术，将低至190毫欧的导通电阻与优化的开关特性相结合，能显著降低导通和开关损耗，让您的电源或电机驱动设计更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭服务器电源、工业变频器、UPS等高性能应用。其坚固的TO-220封装和宽达-55°C至150°C的工作结温，确保了卓越的功率处理能力和长期可靠性。简而言之，STP24N60M2是您提升系统能效、简化热管理并增强产品耐用性的得力助手。

• 型号:STP24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP24N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。