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还在寻找那颗能同时兼顾大电流与低损耗的“心脏”吗？STL56N3LLH5 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它基于先进的STripFET V技术，为您带来高达56A的电流处理能力和低至9毫欧的导通电阻，让您的电源转换或电机驱动方案效率大幅跃升，热量显著降低。

这颗芯片能轻松驾驭30V的电压平台，其优异的开关特性（低栅极电荷与电容）让您能够设计出更简洁、响应更快的驱动电路。无论是用于同步整流提升效率，还是在空间受限的模块中进行高密度布局，其PowerFlat封装都能助您一臂之力。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STL56N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 56A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):56A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:+22V，-20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL56N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。