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当您的设计需要一颗能扛起大电流、承受高电压的可靠“开关”时，IRF640正是您理想的伙伴。它本质上是一颗高性能的N沟道MOSFET，核心使命就是让您能轻松、高效地控制功率流的通断。

凭借200V的漏源电压和18A的连续电流处理能力，它能稳健地应对开关电源、电机驱动等应用中的功率挑战。其关键优势在于极低的导通电阻（仅180毫欧@10V），这意味着在导通状态下能量损耗更小，系统整体效率更高，发热也更少。经典的TO-220AB封装配合强大的散热能力，让您在设计时对热管理更有信心。

• 型号:IRF640
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1560 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF640，ST（意法半导体）产品一站式供应商。