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还在为寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的600V功率开关而烦恼吗？STI11NM60ND正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和10A的连续电流能力，让您在设计高压电源、电机驱动或UPS系统时，轻松应对严苛的电压与电流挑战。

它的核心价值在于卓越的效率。低至450毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，共同作用，显著降低了开关和传导损耗。这意味着您的设备不仅能以更高效率运行，节省能源，还能有效控制温升，提升系统长期工作的稳定性与寿命。其坚固的I2PAK封装和宽泛的工作温度范围，进一步确保了它在各种工业环境下的可靠表现。

• 型号:STI11NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI11NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。