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还在为电源转换效率不高、开关损耗大而头疼吗？让IRF540来为您解决！这颗N沟道MOSFET是您实现高效功率控制的得力助手。它能轻松承载高达100V的电压和22A的电流，凭借其低至77毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，提升整体系统能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。

得益于STripFET II技术，IRF540拥有优异的开关速度和热性能。无论是用于电机驱动、DC-DC转换器还是负载开关，它都能提供快速、可靠的响应。其坚固的TO-220AB封装和宽工作温度范围，确保它在各种挑战性环境中稳定工作，大大增强了您设计的鲁棒性和可靠性。

• 型号:IRF540
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 22A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:77 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF540，ST（意法半导体）产品一站式供应商。