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还在为电源设计中的效率瓶颈和散热难题头疼吗？让意法半导体的STU95N3LLH6为您带来颠覆性的解决方案。这颗N沟道MOSFET是专为高效功率开关而生的利器，它能轻松承载高达80A的连续电流，并以低至4.7毫欧的导通电阻，为您大幅削减导通损耗，直接将更多电能高效转化为输出，显著提升系统整体能效。

它采用了先进的STripFET VI技术，不仅开关速度快、驱动简单（仅需4.5V-10V驱动电压），更能有效降低栅极电荷和开关损耗。这意味着您可以设计出频率更高、响应更快的电源或电机驱动系统，同时得益于其优异的封装和热性能，确保设备在高温环境下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。

• 制造商产品型号：STU95N3LLH6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：DeepGATE, STripFET VI
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 40A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU95N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。