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GH50H65DRB2-7AG 零件图片（仅供参考）

GH50H65DRB2-7AG
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GH50H65DRB2-7AG 规格参数

  • 型号:GH50H65DRB2-7AG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:H2PAK-7
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:108 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A
  • 功率 - 最大值:385 W
  • 开关能量:557J（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:152 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:-/117ns
  • 测试条件:400V，50A，4.7 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):912 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
  • 供应商器件封装:H2PAK-7
  • GH50H65DRB2-7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。
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GH50H65DRB2-7AG 基本参数：

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