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还在为高压大功率应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STW56N65M2-4正是为您破局而生的利器。这颗650V/49A的N沟道MOSFET，凭借其MDmesh M2技术的超低导通电阻（仅62毫欧），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭高频开关场景，其优化的栅极电荷特性确保了快速响应，有效降低开关损耗，简化驱动设计。高达358W的功率耗散能力和坚固的TO-247-4L封装，为您提供了应对高功率挑战的可靠保障。选择它，就是为您的产品注入了强劲、高效且稳定的核心动力。

• 型号:STW56N65M2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 24.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:358W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• STW56N65M2-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。