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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、高速开关任务的“动力引擎”吗？E-L6386D013TR正是您理想的答案。这款ST意法半导体的半桥栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，它能将微弱的控制信号瞬间放大，提供高达650mA的强劲驱动电流，让您的功率开关管以惊人的速度（典型上升/下降时间50ns/30ns）完成切换，从而大幅提升电源转换或电机驱动的效率。

它内置了先进的电平移位技术，高压侧可承受高达600V的电压，让您轻松构建半桥、全桥等拓扑结构。其宽泛的工作温度范围（-40°C ~ 150°C TJ）和反相输入逻辑，确保了在工业变频器、伺服驱动、UPS等严苛应用中的卓越可靠性与设计灵活性。选择E-L6386D013TR，就是选择让复杂的高压驱动设计变得高效而可靠。

• 型号:E-L6386D013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• E-L6386D013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。