我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF13NM60N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STF13NM60N正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh II技术，拥有600V的击穿电压和11A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的动态参数，能显著降低开关损耗和传导损耗。

这颗芯片能让您的电源设计事半功倍。它帮助您轻松构建出效率更高、发热更小的开关电源、照明镇流器或电机驱动电路。其坚固的TO-220FP封装和宽广的结温范围，确保了在各种应用环境中都能稳定持久地工作，让您的产品不仅高效，而且耐用可靠。

• 型号:STF13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF13NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。