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还在为驱动电路的设计复杂度和效率问题而烦恼吗？让E-L6386D来为您简化一切，释放潜能！这颗强大的半桥栅极驱动器，专为高效驾驭IGBT和MOSFET而设计。

它拥有高达600V的自举电压和强劲的650mA/400mA峰值驱动电流，配合纳秒级的开关速度，能让您的功率器件运行得更快、更凉、更高效。无论是电机控制还是电源转换，它都能大幅提升系统能效与可靠性。

其独立通道控制与反相输入逻辑，让您的电路设计无比轻松；宽广的工作温度范围则确保了它在各种严苛环境下稳定如一。选择E-L6386D，就是为您的应用选择一个高效、可靠且易于使用的驱动核心。

• 型号:E-L6386D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• E-L6386D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。