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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效，让电源设计焕然一新的核心功率开关吗？STFI12N60M2正是您的理想之选。这颗600V/9A的N沟道MOSFET，采用ST先进的MDmesh M2技术，为您带来低至450毫欧的优异导通电阻，显著降低导通损耗，直接提升系统整体能效，让热量管理变得前所未有的轻松。

它专为要求严苛的开关电源、PFC电路和电机驱动应用而优化。其快速的开关特性和低栅极电荷，让您能够设计出更高频率、更紧凑的电源拓扑，同时保持极低的驱动损耗。坚固的TO-281通孔封装确保了卓越的功率耗散能力和长期可靠性，让您的产品在-55°C到150°C的广泛温度范围内稳定运行，从容应对各种挑战。

• 型号:STFI12N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 9A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:538 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI12N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。