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还在为复杂的功率系统设计而烦恼？A2C50S65M2将为您化繁为简。这颗来自ST意法半导体的650V/50A IGBT模块，集成了完整的三相反相器与制动电路，让您能够轻松构建高效、紧凑的电机驱动或功率转换核心。

它采用先进的沟槽型场截止技术，导通压降低至2.3V，能显著减少开关损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。模块内置NTC热敏电阻，提供实时温度监控，结合其宽广的工作温度范围（-40°C ~ 150°C）和坚固的模块化封装，为您产品的长期可靠运行保驾护航。选择它，就是选择了一个让设计更高效、让性能更出众的智能动力核心。

• 型号:A2C50S65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK 2
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器，带制动器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 功率 - 最大值:208 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):4.15 nF @ 25 V
• 输入:三相桥式整流器
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 2
• A2C50S65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。