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VNV10N07TR-E 零件图片(仅供参考)

VNV10N07TR-E
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VNV10N07TR-E 规格参数

还在为驱动电机、灯组或电磁阀时的电路保护和可靠性头疼吗?让VNV10N07TR-E来为您分忧!这颗来自ST意法半导体的智能功率开关,集成了一个坚固的N沟道MOSFET和全面的保护电路,能直接由微控制器轻松驱动,高效控制高达7A的负载。

它内置了限流、过温和过压保护,就像一个内置的“安全卫士”,能在异常情况下自动介入,有效防止因短路、过热或电压浪涌导致的损坏,极大提升了您系统的鲁棒性和使用寿命。其PowerSO-10封装配合裸露焊盘,提供了优异的散热性能,让您在设计高功率密度应用时更加得心应手。

  • ST意法半导体公司完整型号:VNV10N07TR-E
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC PWR MOSFET M0 70V 10A PWRSO10
  • 系列:OMNIFET, VIPower
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:输出:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:55V(最小值)
  • 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):7A
  • Rds (On):100 毫欧(最小值)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-
  • 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • VNV10N07TR-E,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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VNV10N07TR-E 基本参数:

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