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VNH9013YTR 零件图片(仅供参考)

VNH9013YTR
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VNH9013YTR 规格参数

还在为寻找一颗能同时兼顾大功率、高效率和卓越可靠性的电机驱动芯片而烦恼吗?VNH9013YTR正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的车规级全/半桥驱动器,能轻松驾驭高达80V的电压和40A的持续电流,其超低的MOSFET导通电阻(HS仅6毫欧)让您大幅降低导通损耗,显著提升系统能效和功率密度。

它专为驱动直流电机及各类感性、阻性负载而优化,其坚固的设计和高达175°C的工作结温,确保您的应用即使在最苛刻的环境中也能稳定运行。采用紧凑的36脚PowerBFSOP封装,并提供卷带包装,让您的PCB布局更灵活,生产效率更高。选择VNH9013YTR,就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的动力心脏。

  • 型号:VNH9013YTR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerSSO-36 TP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 4N-CH 40A 36PWRSSO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:4 N 沟道(半桥)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):80V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.8 毫欧 @ 6A,10V,6 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):40nC @ 10V,45nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1750pF @ 25V,2600pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:36-PowerBFSOP(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:PowerSSO-36 TP
  • VNH9013YTR,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的ST供应商

VNH9013YTR 基本参数:

  • 电子零件型号:VNH9013YTR
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET 4N-CH 40A 36PWRSSO
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 点击此处查询VNH9013YTR的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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