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还在为驱动高压半桥电路而烦恼吗？L6571AD013TR就是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的栅极驱动器，专为高效、可靠地控制IGBT和N沟道MOSFET而设计，其高达600V的自举电压和宽泛的工作温度范围，让您轻松应对工业级应用的严酷挑战。

它内置两个同步驱动通道，提供强劲的170mA/270mA峰值驱动电流，能显著优化开关性能，减少损耗。简洁的RC输入接口赋予您灵活的控制方式。采用紧凑的8-SOIC封装，便于集成，助您快速构建高效、紧凑的电源或电机驱动方案，提升产品整体竞争力。

• 型号:L6571AD013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6571AD013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。