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还在为电机驱动方案的效率、尺寸和可靠性而烦恼吗？让VNH7013XPTR-E为您提供一站式的完美答案。这颗强大的半桥驱动器芯片，能轻松驾驭高达72V电压和40A电流的负载，专为驱动DC电机和感性负载而优化，让您的设备获得强劲、平滑且高效的动力输出。

它采用先进的VIPower技术，拥有极低的导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，从而提升整体系统能效，并简化您的散热设计。内置的逻辑接口让控制变得异常简单，而全面的超温保护功能则确保了其在-40°C至175°C的宽温范围内都能稳定可靠地工作，极大增强了产品的耐用性。选择它，就是选择了一个让设计更省心、让产品更具竞争力的高效解决方案。

• 型号:VNH7013XPTR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSSO-36 TP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 4N-CH 40A 36PWRSSO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:4 N 沟道（半桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:36V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 5A，10V，5.7 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23nC @ 10V，36nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250pF @ 25V，1836pF @ 25V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:36-PowerBFSOP（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:PowerSSO-36 TP
• VNH7013XPTR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。