我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） THBT20011DRL现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能抵御180V高压浪涌的可靠卫士吗？THBT20011DRL正是您期待的答案。这颗ST意法半导体的TRISIL晶闸管，专为保护敏感电子设备而生，它能瞬间响应并泄放高达30A的浪涌电流，让您的电路在电压冲击面前稳如泰山。

它集成了三个保护元件于紧凑的8SOIC封装内，为您节省宝贵的板级空间。无论是应对工业环境中的突发干扰，还是通信设备里的静电威胁，它都能高效钳位危险电压，确保核心芯片安全无忧。选择它，就是为您的产品可靠性加上一道坚实的保险。

• 型号:THBT20011DRL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > 晶闸管
• 描述:THYRISTOR 180V 30A 8-SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 电压 - 导通:290V
• 电压 - 断态:180V
• 电压 - 通态:-
• 电流 - 峰值脉冲 (8/20s):-
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):30 A
• 电流 - 保持 (Ih):150 mA
• 元件数:3
• 电容:80pF
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• THBT20011DRL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。