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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，并保持超低损耗的功率开关解决方案？STY139N65M5正是为您而来。这颗来自意法半导体MDmesh V系列的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和130A的强大电流处理能力，其核心价值在于，它能将导通损耗降至极低（仅17毫欧@65A），让您的电源或电机驱动系统轻松实现更高的能效转换和更低的温升。

它采用先进的MAX247封装技术，散热性能出众，可承受高达625W的功率耗散。这意味着您可以在更紧凑的空间内布局，实现更高的功率密度设计，同时确保系统在严苛环境下的长期稳定运行。无论是提升现有产品的性能，还是开发面向未来的高效能应用，STY139N65M5都能为您提供强大、可靠的核心动力，让设计更高效，让产品更具竞争力。

• 型号:STY139N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 65A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:363 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:15600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY139N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。