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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任，同时保持高效冷静的“核心引擎”吗？STY60NM60正是这样一款为您量身打造的高性能N沟道MOSFET。它基于意法半导体引以为傲的MDmesh技术，集600V耐压与60A大电流能力于一身，旨在让您的电源设计突破效率瓶颈。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅55毫欧的超低导通电阻，大幅降低导通损耗，让电能传输更高效；同时，优化的栅极电荷特性减少了开关损耗，使系统工作频率可以更高，而发热更少。无论是驱动电机、构建开关电源还是设计太阳能逆变器，它都能让您轻松应对高功率密度挑战，实现更紧凑、更可靠的系统设计。

搭载于坚固的MAX247封装中，它提供了卓越的散热能力，确保在严苛环境下持续稳定输出。选择STY60NM60，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STY60NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:560W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY60NM60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。