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您需要一个能扛起高压、大电流开关重任的“得力干将”吗？IRF620正是这样一款经典功率MOSFET。它基于ST先进的PowerMESH II技术打造，拥有200V的耐压和6A的连续电流能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明控制电路时，能够轻松实现高效、低损耗的能量切换。

这颗芯片的导通电阻低至800毫欧（@10V），意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统运行更凉爽、效率更高。其坚固的TO-220AB封装和宽达-65°C至150°C的工作结温范围，确保了它在各种环境下都能稳定可靠地工作，是提升产品耐用性和性能表现的理想选择。

• 型号:IRF620
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF620，ST（意法半导体）产品一站式供应商。