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当您的设计需要驾驭高达900V的电压并处理26A的持续电流时，STY30NK90Z就是您理想的功率开关解决方案。这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，专为高效、高可靠性的高压应用而优化。

它能为您做什么？核心在于其卓越的能效。极低的导通电阻（仅260毫欧）意味着在导通状态下损耗更小，发热更低，让您的电源或电机驱动系统运行得更“凉爽”、更高效。同时，其优化的动态参数有助于实现更快的开关速度，提升系统整体频率响应，让您的产品在性能上脱颖而出。

无论是构建更紧凑的工业电源，还是打造更耐用的电机控制设备，STY30NK90Z都能提供坚实的支持。它让您能够轻松应对高压环境的挑战，专注于实现产品的核心价值，而将功率转换的可靠与高效交给这颗经过验证的芯片。

• 型号:STY30NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:490 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY30NK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。