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您正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时保持卓越可靠性的功率开关吗？STB180N55F3正是为此而生。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的3.5毫欧超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它具备55V的漏源电压和120A的高电流处理能力，配合优化的栅极电荷特性，让您能够轻松设计出更高功率密度、更高开关频率的应用。无论是用于提升工业设备的能效，还是打造更紧凑的通信电源，STB180N55F3都能以出色的电气性能和热管理能力，助您一臂之力，轻松应对设计挑战。

• 型号:STB180N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB180N55F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。