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还在为高功率应用的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STY145N65M5功率MOSFET正是您期待的解决方案。它基于先进的MDmesh V技术，为您带来高达650V的耐压和138A的强大电流处理能力，同时将导通电阻降至惊人的15毫欧，这意味着它能显著降低导通损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。

这颗芯片能轻松胜任服务器电源、工业驱动及新能源充电桩等严苛场景。其优化的开关特性帮助您减少开关损耗和电磁干扰，而坚固的MAX247封装和高达625W的功率耗散能力，则确保了系统在高温环境下的长期稳定运行。选择STY145N65M5，就是选择让您的设计在性能与可靠性上双双脱颖而出。

• 型号:STY145N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):138A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 69A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:414 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:18500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY145N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。