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还在为功率转换系统的效率与散热问题烦恼吗？让STWA75N60M6成为您设计的强大心脏。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和高达72A的连续电流承载能力，能轻松应对工业电源、电机驱动等高要求场景，让您的设备运行更强劲、更可靠。

它的卓越之处在于精妙的平衡：仅36毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，提升整体能效；同时优化的栅极电荷特性，确保了快速、干净的开关动作，减少开关损耗。这让您不仅能设计出更高功率密度的产品，还能有效简化散热设计，降低系统复杂性和成本。选择它，就是选择了一条通往高效、紧凑且稳健的功率解决方案的捷径。

• 型号:STWA75N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 36A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA75N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。