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还在为高压开关应用的效率与散热问题烦恼吗？让STL33N60DM2来为您分忧！这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，集成了先进的MDmesh DM2技术，能轻松驾驭600V高压和21A电流，同时将导通损耗降至极低。它就像您电路中的高效“能量阀门”，精准控制功率流向。

更令人惊喜的是，其极低的栅极电荷和优化的动态特性，让开关过程快速而平滑，显著减少开关损耗和电磁干扰。搭配创新的PowerFlat HV封装，它不仅散热性能出众，更能帮您节省宝贵的电路板空间。选择它，就是为您的电源、电机驱动或照明系统注入一颗强劲而高效的“芯”，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STL33N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL33N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。