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还在为功率转换系统的效率与发热问题烦恼吗？让STWA65N65DM2AG为您带来颠覆性的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和60A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅50毫欧）与优化的栅极电荷。这意味着它能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器设计轻松实现更高的功率密度和更出色的能效。

它就像您系统中的一个高效“能量阀门”，在严苛的-55°C至150°C结温范围内稳定工作，帮助您有效管理热量，提升整体可靠性。无论是简化散热设计，还是追求更紧凑的产品体积，STWA65N65DM2AG都能让您的设计目标高效达成，助力产品在市场中脱颖而出。

• 型号:STWA65N65DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 60A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA65N65DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。