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您正在寻找一颗能大幅提升系统效率与功率密度的“能量阀门”吗？STD36P4LLF6正是您期待的答案。这颗40V、36A的P沟道功率MOSFET，凭借其业界领先的STripFET F6技术，能为您带来极低的导通损耗和出色的开关性能。

它让您轻松实现高效的电源路径管理、电机驱动控制或负载开关应用。其优异的参数，如低至20.5毫欧的RDS(on)和优化的栅极电荷，直接转化为更低的发热、更高的能效以及更紧凑的散热设计，助您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STD36P4LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD36P4LLF6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。